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技術(shù)參數(shù)

備注：根據(jù)用戶要求可提供不同粒度的產(chǎn)品。

應(yīng)用方向

    主要應(yīng)用于多晶硅和單晶熔煉過(guò)程中，石英坩堝脫模用。多晶硅和單晶硅生產(chǎn)時(shí)，在原料熔化、晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，硅熔體和坩堝長(zhǎng)時(shí)間接觸會(huì)產(chǎn)生黏滯性。由于兩種材料的熱膨脹系數(shù)不同，如果硅材料和坩堝壁結(jié)合緊密，在晶體冷卻時(shí)很可能造成晶體硅或坩堝破裂。而硅熔體和坩堝的長(zhǎng)時(shí)間接觸還會(huì)造成陶瓷坩堝的腐蝕，使多晶硅中的氧濃度升高。為了解決這些問(wèn)題，國(guó)外工藝上一般采用高純氮化硅材料作為涂層附在坩堝的內(nèi)壁，隔離硅熔體和坩堝的直接接觸，不僅解決了黏滯問(wèn)題，而且可以降低多晶硅中的氧、炭等雜質(zhì)濃度。利用定向凝固技術(shù)生長(zhǎng)的鑄造多晶硅，多數(shù)情況下坩堝是消耗品，不能重復(fù)循環(huán)使用，即每爐多晶硅都需要消耗一只陶瓷坩堝。采用氮化硅涂層后可使石英陶瓷坩堝得到重復(fù)使用，大幅度降低生產(chǎn)成本我公司根據(jù)多晶硅和單晶硅生產(chǎn)工藝特點(diǎn)，開發(fā)銷售了石英坩堝專用脫膜劑及相關(guān)噴涂工藝。高純氮化硅脫模劑粒度在0.5-1.2微米之間，可以有效地解決在涂層高溫固化過(guò)程中的氧化問(wèn)題，使多晶硅和單晶硅的純度獲得大幅度提高，其粉末的純度可達(dá)99.99％以上,可用作光伏工業(yè)中熔煉多晶硅鑄錠的石英坩堝涂層材料。可有效防止坩堝內(nèi)壁與熔融硅料粘接，方便脫模，同時(shí)起到阻隔層作用，保證硅錠純度。與納米氮化硅或其他類型脫模劑相比，具有優(yōu)異的抗氧化性能，確保生產(chǎn)過(guò)程中碳、氧等雜質(zhì)濃度獲得有效控制。產(chǎn)品純度高，粒度均勻，性能上完全可與國(guó)外同類產(chǎn)品相比較，目前已實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)。因此可以解決目前國(guó)內(nèi)的石英坩堝涂層粉完全依賴日本UBE、德國(guó)Starck等進(jìn)口，且有較大成本優(yōu)勢(shì)。

貯存條件
    本品應(yīng)密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中，不宜長(zhǎng)久暴露于空氣中，防受潮發(fā)生團(tuán)聚，影響分散性能和使用效果，另應(yīng)避免重壓，勿與氧化劑接觸，按照普通貨物運(yùn)輸。